الأجزاء الالكترونية : W6NXD3K-0000

المصنع : Cree

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Diameter 50.8mm; lsemi-insulating (prototype); 6H-silicon carbide. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : W6NXD3K-0000 PDF

• W6NXD3K-0000