الأجزاء الالكترونية : W4NXE8C-0D00

المصنع : Cree

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Diameter 76.2mm; standard micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : W4NXE8C-0D00 PDF

• W4NXE8C-0D00
• W4NXE8C-LD00
• W4NXE8C-SD00