الأجزاء الالكترونية : TC55VBM316AFTN40

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : TENTATIVE TOSHIBA DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : TC55VBM316AFTN40 PDF

• TC55VBM316AFTN
• TC55VBM316AFTN40
• TC55VBM316AFTN55
• TC55VBM316ASTN40
• TC55VBM316ASTN55