الأجزاء الالكترونية : MM118-06

المصنع : MICROSEMI[Microsemi Corporation]

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : PHASE N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT BRIDGE

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : MM118-06 PDF

• MM118-06
• MM118-06F
• MM118-06L
• MM118-12
• MM118-XX
• MM1180
• MM1180CM
• MM1180CT
• MM1180GM
• MM1180GT
• MM1180HM
• MM1180HT
• MM1180IT
• MM1180JM
• MM1180JT