الأجزاء الالكترونية : MG50H2YS1

المصنع : Toshiba

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : High Power Switching Application Silicon N-Channel IGBT

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : MG50H2YS1 PDF

• MG50H2YS1