الأجزاء الالكترونية : K9E2G08B0M-PIB0

المصنع : Samsung semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : 256M Bits NAND Flash Memory

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : K9E2G08B0M-PIB0 PDF

• K9E2G08B0M
• K9E2G08B0M-F
• K9E2G08B0M-FCB0
• K9E2G08B0M-FIB0
• K9E2G08B0M-P
• K9E2G08B0M-PCB0
• K9E2G08B0M-PIB0
• K9E2G08B0M-V
• K9E2G08B0M-VCB0
• K9E2G08B0M-VIB0
• K9E2G08B0M-Y
• K9E2G08B0M-YCB0
• K9E2G08B0M-YIB0