الأجزاء الالكترونية : K4E160812D-F

المصنع : Samsung

التعبئة : TSOP-II

الدبابيس : 28

الوصف : 2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : K4E160812D-F PDF

• K4E160811D
• K4E160811D-B
• K4E160811D-F
• K4E160812D
• K4E160812D-B
• K4E160812D-F