الأجزاء الالكترونية : JDH3D01S

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type wave detection

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : JDH3D01S PDF

• JDH3D01FV
• JDH3D01S