الأجزاء الالكترونية : HZIP23-P-1.27G

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Intelligent Power Device High Voltage Monolithic Silicon Power

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : HZIP23-P-1.27G PDF

• HZIP23-P-1.27F
• HZIP23-P-1.27G
• HZIP23-P-1.27H