الأجزاء الالكترونية : HN4B102J

المصنع : Toshiba

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Transistor Silicon Epitaxial Type Process)

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : HN4B102J PDF

• HN4B101J
• HN4B102J