الأجزاء الالكترونية : HN2D01JE

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : HN2D01JE PDF

• HN2D01F
• HN2D01F07
• HN2D01FU
• HN2D01F_07
• HN2D01JE
• HN2D02FU
• HN2D02FUTW1T1
• HN2D02FUTW1T1/D
• HN2D03F