الأجزاء الالكترونية : HN1A02F

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency Power Amplifier Applications

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet :

• HN1A01F
• HN1A01F07
• HN1A01FE
• HN1A01FGR
• HN1A01FU
• HN1A01FU07
• HN1A01FUGR
• HN1A01FUY
• HN1A01FU_07
• HN1A01FY
• HN1A01F_07
• HN1A02F
• HN1A07F
• HN1A26FS