الأجزاء الالكترونية : GT8G132

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon Channel IGBT

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : GT8G132 PDF

• GT8G103
• GT8G10306
• GT8G103_06
• GT8G121
• GT8G12106
• GT8G121_06
• GT8G131
• GT8G13106
• GT8G131_06
• GT8G132
• GT8G13206
• GT8G132_06
• GT8G133
• GT8G134
• GT8G136