الأجزاء الالكترونية : GT50J325_06

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : GT50J325_06 PDF

• GT50J322
• GT50J32206
• GT50J322_06
• GT50J325
• GT50J32506
• GT50J325_06
• GT50J327