الأجزاء الالكترونية : GT50J121_06

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : GT50J121_06 PDF

• GT50J121
• GT50J12106
• GT50J121_06
• GT50J122