الأجزاء الالكترونية : GT30J12106

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : GT30J12106 PDF

• GT30J121
• GT30J12106
• GT30J121_06
• GT30J122