الأجزاء الالكترونية : GT25Q30106

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : GT25Q30106 PDF

• GT25Q301
• GT25Q30106
• GT25Q301_06