الأجزاء الالكترونية : GT25Q102_06

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : GT25Q102_06 PDF

• GT25Q101
• GT25Q102
• GT25Q10206
• GT25Q102_06