الأجزاء الالكترونية : GT10Q10106

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : GT10Q10106 PDF

• GT10Q101
• GT10Q10106
• GT10Q101_06