الأجزاء الالكترونية : GT10J321_06

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : GT10J321_06 PDF

• GT10J321
• GT10J32106
• GT10J321_06