الأجزاء الالكترونية : GT10J30306

المصنع : Toshiba Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : GT10J30306 PDF

• GT10J301
• GT10J30106
• GT10J301_06
• GT10J303
• GT10J30306
• GT10J303_06