الأجزاء الالكترونية : F1001

المصنع : POLYFET[Polyfet Devices]

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : F1001 PDF

• F10
• F10-SERIES
• F1001
• F10010
• F100102
• F100107
• F100112
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• F100115SC
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• F100135