الأجزاء الالكترونية : BUL642D2G

المصنع : Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : High Speed, High Gain Bipolar Transistor with Integrated Collector−Emitter Built−in Efficient Antisaturation Network

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : BUL642D2G PDF

• BUL642D2
• BUL642D2G