الأجزاء الالكترونية : NTGD4169FT1G

المصنع : Semiconductor

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : Power MOSFET Schottky Diode N−Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP−6

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : NTGD4169FT1G PDF

• NTGD4169F
• NTGD4169FT1G