الأجزاء الالكترونية : F2013

المصنع : Polyfet RF Devices

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet :

• F20
• F2000D
• F2000ERW
• F2001
• F2001ERW
• F2001S
• F2002
• F2002ERW
• F2002S
• F2003
• F2003ERW
• F2004
• F2004ERW
• F2005ERW
• F2006ERW