الأجزاء الالكترونية : F2012

المصنع : POLYFET[Polyfet Devices]

التعبئة :

الدبابيس :

الوصف : PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR

درجة الحرارة : مين °C | ماكس °C

Datasheet : F2012 PDF

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